상세 보기
HD-PECVD법으로 제작한 SiN 박막의 특성
Characteristics of SiN Thin Film prepared by HD-PECVD
초록
박막트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)의 게이트 절연층 에서는 박막의 전계강도, 고유전율 및 우수한 표면특성이 요구된다. HD-PECVD(High Density - Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 NH3 유량 및 기판 온도를 변화시키면서 SiN 박막을 제작하고, 표면특성을 AFM 으로, CONTACT ANGLE로 접촉각을 측정하여 Young's Equation 으로 Surface Energy를 계산하였고 전기적 특성은 MIM 구조를 제작하고 C-V 측정을 하여 조사하였다.
- 제목
- HD-PECVD법으로 제작한 SiN 박막의 특성
- 제목 (타언어)
- Characteristics of SiN Thin Film prepared by HD-PECVD
- 저자
- PAIKKYUN SHIN
- 학회명
- 대한전기학회 제42회 하계학술대회
- 개최지
- 용평리조트(강원도 평창)
- 학회 개최일
- 2011-07-20 ~ 2011-07-22