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초록
본 논문에서는 자체 개발된 3차원 소자 시뮬레이터인 BANDIS에 횡전계 의존 이동도인 Lombardi Surface Mobility Model을 이용하여 N-channel MOSFET의 게이트 전압에 따른 드레인 전류의 변화를 고찰하였다. 전자 및 정공 연속 방정식은 유한 요소법을 사용하여 이산화하였고, 각 절점의 전계 계산은 Global Smoothing Technique을 사용하여 구하였다. 기존의 3차원 소자 시뮬레이터인 DAVINCI와 비교한 결과 게이트 전압에 따른 드레인 전류의 값은 약 5%의 최대 상대오차를 보였다.
- 제목
- 횡전계 의존 이동도 모델을 고려한 3차원 소자의 모의실험
- 제목 (타언어)
- Three-Dimensional Device Simulation with Transversal Field Dependent Mobility
- 저자
- Kim Cheolseong
- 학회명
- 대한전자공학회 하계종합학술대회 논문집