Enhanced ICP에 의한 산화막 식각특성의 연구

초록

반도체제조공정에서 산화막의 건식식각은 주로 RIE와 MERIE등에 의해 이러어저왔으나 소자 직접도의 급격한 증가로 인해 식각형태가 high aspect ratio로 변화하여 이를 효과적으로 식각하기위한 저압고밀도 플라즈마소스를 이용한 산화막식각의 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 하지만 이러한 저압고밀도 플라즈마소스의 이온화와 해리율이 저 차원의 분자까지 진행되어 비산화막과의 선택도를 감소시키고, 아울러 높은 전자온도로 인해 미세페턴의 식각시 문제가 제기되고 있다. 이에 본연구에서는 낮은 강도의 축방향자기장을 주기적으로 인가하여 플라즈마의 특성을 개선시키는 새로운 식각장비를 이용하여 산화막 식각실험에 향상된 식각특성을 얻을수있었다. 또한 Lamguir probe를 통하여 식각에 CF4/O2, CF4/Ar플라즈마를 진단하였으며 첨가가스의 종류에 따른 산화막식각특성의 변화를 분석하였다.