DC 마그네트론 스퍼터링에 의한 Ge2Sb2Te5 박막의 증착

초록

멀티미디어 응용분야 중 DVD-RW나 CD-R 같은 재생 가능한 정보 저장 매체는 산업 사회에 많은 기여를 하고 있다. 특히 상전이 물질(Phase-change material)을 이용한 정보 기록 저장은 미래의 유망한 기술로서 현재 지속적인 관심 아래 연구가 진행되고 있다[1,2]. 대표적인 상전이 물질로서 Ge-Sb-Te 또는 In-Sb-Te와 같은 합금이 많이 알려져 있으며, 이 물질들의 구조적 성질에 따른 metastable amorphous phase와 crystalline phase간의 가역적인 변화가 DVD-RW 같은 rewritable data storage 개발에 기반이 되고 있다. 일반적인 Ge2Sb2Te5 박막의 제조는 sputtering, evaporation, ion plating 등의 physical vapor deposition(PVD) 방법이 주로 사용되어져 왔다[3]. 이러한 여러가지 증착 방법 중에서 DC 마그네트론 스퍼터링에 의한 박막 증착은 진공장비 안에서 금속 합금 타겟을 사용하여 빠른 증착 속도를 얻을 수 있으며, 낮은 기판 온도를 유지할 수 있는 장점이 있다[4-6]. 본 연구에서는 Ge2Sb2Te5 박막이 DC 마그네트론 스퍼터링 방법에 의하여 제조되었고 주요 변수로는 DC power 변화가 선택되었다. 실험결과로서는 증착된 박막의 annealing temperature의 변화에 따른 상전이가 관찰되었고, reflectance(△R)의 변화가 조사되었다.