NiFe, CoFe 박막의 습식 식각 특성

초록

차세대 메모리소자 개발을 위해 고속 읽기/쓰기가 가능하며, DRAM과 같이 고집적화 할 수 있는 새로운 불휘발성 메모리인 MRAM(Magnetic Random Access Memory)에 대한 연구가 활발히 이루어 지고 있다. MRAM이란 자기저항효과라는 특성을 가진 소자를 이용하여 집적한 메모리이다. 자기저항효과를 가진 소자 중 TMR 박막 재료가 실용화에 가장 근접한 재료로 알려져 있다. 그러나 TMR박막을 구성하는 물질 중 하나인 자성물질은 일반적으로 에칭이 어려운 것으로 알려져 있으며, 현재 건식식각에 대한 연구는 진행되고 있는 반면, 습식식각에 관해 발표된 연구는 많지 않다. 본 연구는 자성물질의 습식식각 뿐만 아니라, 건식식각 후 생기는 식각잔유물(etch residue)을 제거하는 방법으로도 활용되어질 수 있다. 실험은 자성물질 중에서 NiFe과 CoFe박막을 택하고, 식각용액(etchant)으로 HNO3와 HCl을 사용하여, 각 식각용액에 따른 자성박막들의 식각특성을 알아보았다[1,2].