Cl2/C2F6 and HBr Plasmas 에서 PZT 박막의 Inductively coupled plasma etching

초록

강유전체 Pb(ZrXTi1-X)O3 박막이 Cl2/Ar, C2F6/Ar, Cl2/C2F6/Ar 그리고 HBr/Ar 등의 다양한 식각 가스들을 사용하여 유도 결합 플라즈마에서 식각 되었다. 각각의 식각 가스에서 식각 속도(etch rate)와 식각 프로파일(etch profile)이 조사되었다. Chlorine이 함유된 식각 가스를 사용한 경우에 빠른 식각 속도가 얻어졌고, 깨끗하고 가파른 식각 프로파일은 Cl2/C2F6/Ar 또는 HBr/Ar gas들에서 얻어졌다. Cl2와 C2F6의 가스 혼합은 빠른 식각 속도와 식각된 패턴의 가파른 sidewall angle을 얻기 위하여 제안되었다. Cl2와 C2F6의 가스 혼합비를 변화시켜서 Cl2/C2F6/Ar의 최적 가스 혼합비를 얻을 수 있었다. 한편, Pb(ZrXTi1-X)O3 박막을 위한 새로운 식각 가스로서 HBr/Ar gas가 시도되었다. 식각 속도, 식각 프로파일, 그리고 전기적 특성 등의 관점에서 Cl2/C2F6/Ar 와 HBr/Ar 식각 가스들의 비교가 이루어졌다.